特許
J-GLOBAL ID：200903000649731832
4階調フォトマスクの製造方法、及びフォトマスクブランク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
阿仁屋 節雄
, 油井 透
, 清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-037634
公開番号（公開出願番号）：特開2007-249198
出願日： 2007年02月19日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】4階調フォトマスクをフォトリソグラフィ工程により少ない描画回数で製造できること。【解決手段】透光性基板上に、互いのエッチングに対して耐性を有する材料からなる第1半透光膜と遮光膜とが順次成膜されたフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に第1レジストパターンを形成する工程と、第1レジストパターンをマスクに遮光膜をエッチングした後、第1半透光膜をエッチングし、更に第1レジストパターンを剥離する工程と、透光性基板及び遮光膜上に第2半透光膜を成膜する工程と、第2半透光膜上に第2レジストパターンを形成する工程と、第2レジストパターンをマスクに第2半透光膜及び遮光膜をエッチングした後、第2レジストパターンを除去する工程と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
遮光部、透光部、及びそれぞれ異なる光透過率の第1半透光部と第2半透光部を有する4階調フォトマスクの製造方法において、
透光性基板上に、互いのエッチングに対して耐性を有する材料からなる第1半透光膜と遮光膜とが順次成膜されたフォトマスクブランクを準備する工程と、
このフォトマスクブランクの上記遮光膜上に、前記透光部及び前記第2半透光部を開口領域とした第1レジストパターンを形成する工程と、
上記第1レジストパターンをマスクに上記遮光膜をエッチングした後、上記第1半透光膜をエッチングし、更に上記第1レジストパターンを剥離する工程と、
次に、上記透光性基板及び上記遮光膜上に第2半透光膜を成膜する工程と、
当該第2半透光膜上に、前記透光部及び前記第1半透光部を開口領域とした第2レジストパターンを形成する工程と、
上記第2レジストパターンをマスクに上記第2半透光膜及び上記遮光膜をエッチングした後、上記第2レジストパターンを除去して、前記透光部、前記遮光部、前記第1半透光部及び前記第2半透光部を形成する工程と、
を有することを特徴とする4階調フォトマスクの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
2H095BA12
, 2H095BB05
, 2H095BB14
, 2H095BC09
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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