特許
J-GLOBAL ID：200903000658249245
ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052303
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252479
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】ショットキーバリアダイオードにおいて、順方向電圧と、逆もれ電流との間のトレードオフ関係を改善する。【解決手段】半導体基板表面のトレンチの頂上部では高い不純物濃度領域からなるバリア高さの低い第一のショットキー接合を、トレンチの底部および側部では、より低い不純物濃度からなるバリア高さの高い第二のショットキー接合を有するショットキーバリアダイオードとする。製造方法としてはイオン注入あるいはエピタキシャル成長により、高濃度領域を形成した後、トレンチを掘り下げ、ショットキー電極を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一方の主表面から掘り下げられたトレンチを有し、そのトレンチの頂上部ではバリア高さの低い第一のショットキー接合を、トレンチの底部ではバリア高さの高い第二のショットキー接合をそれぞれ有するショットキーバリアダイオードにおいて、トレンチの頂上部がトレンチの底部および側壁部と同じ導電型で、それより高い不純物濃度領域からなることを特徴とするショットキーバリアダイオード。
FI (2件)：
H01L 29/48 F
, H01L 29/48 P
4M104AA01
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104CC03
, 4M104DD24
, 4M104DD26
, 4M104DD34
, 4M104DD37
, 4M104FF04
, 4M104FF06
, 4M104FF11
, 4M104FF13
, 4M104FF27
, 4M104FF31
, 4M104GG03
, 4M104HH17
, 4M104HH20
