シリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-179710
公開番号（公開出願番号）：特開2000-001391
出願日： 1998年06月11日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】熱酸化処理をした際にリング状に発生するOSFあるいはOSFの潜在核が極低欠陥密度で存在するが、FPD、COP、L/D、LSTD及びCuデコレーションにより検出される欠陥がウエーハ全面内に存在しないCZ法によるシリコン単結晶ウエーハを安定した製造条件下に製造する。【解決手段】結晶成長時に、結晶中の固液界面近傍の融点から1400°Cの間の温度勾配をG(温度変化量/結晶軸方向長さ)[°C/cm]とし、結晶中心部分の温度勾配Gc[°C/cm]と結晶周辺部分の温度勾配Ge[°C/cm]との差を△G=(Ge-Gc)で表した時、△Gが0または負となるように炉内温度を制御し、かつ結晶直径を横軸に、引上げ速度を縦軸として欠陥分布を示した欠陥分布図において、OSF領域が帯状逆M字型を形成する時、OSF領域の内側ラインの最小値に対応する引上げ速度と、OSF領域の外側ラインの最小値に対応する引上げ速度の範囲内に制御しながら結晶を引上げるシリコン単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、熱酸化処理をした際にリング状に発生するOSFあるいはOSFの核が存在し、かつ、FPD、COP、L/D、LSTD及びCuデコレーションにより検出される欠陥がウエーハ全面内に存在しないことを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。

IPC (5件)：

C30B 15/22 , C30B 29/06 502 , G05D 23/19 , H01L 21/208 , H01L 21/66

FI (5件)：

C30B 15/22 , C30B 29/06 502 H , G05D 23/19 J , H01L 21/208 P , H01L 21/66 L

Fターム (26件)：

4G050FF51 , 4G050FF55 , 4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BA04 , 4G077CF00 , 4G077EH06 , 4G077EH09 , 4M106AA20 , 4M106BA05 , 4M106BA08 , 4M106BA10 , 4M106CB19 , 4M106CB20 , 5F053AA12 , 5F053BB04 , 5F053BB58 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053GG01 , 5F053RR03 , 5H323AA05 , 5H323BB17 , 5H323CA06 , 5H323CB02 , 5H323CB44

引用特許：

審査官引用 (1件)

シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-158458 出願人：住友シチックス株式会社

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