半導体結晶の成長方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川瀬茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-116003
公開番号（公開出願番号）：特開平7-300386
出願日： 1994年05月02日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】縦型ブリッジマン法によって半導体結晶を成長させる際に、混晶比や不純物濃度を結晶の長手方向に一定に保持できる方法を提供すること。【構成】石英るつぼの外側に熱電対を挿入する管を設ける。ここに熱電対を挿入する。原料を溶融した後、るつぼを低温の方へ移動させるが、熱電対は原料の融点になるようにし、しかも動かないようにする。るつぼの移動速度又はヒ-タの形成する温度分布を制御して、静止している熱電対が常に融点を示すようにする。

請求項（抜粋）：

チャンバと、チャンバに設けられ縦方向に並び独立に制御できる複数のヒ-タと、ヒ-タで囲まれる昇降できる下軸と、下軸に設置されるるつぼと、るつぼの温度を測定する温度センサとを含む結晶成長装置を用いて半導体結晶を成長させる方法であって、半導体原料をるつぼに封入し、下軸の上に設置し、ヒ-タで加熱し、軸方向に温度勾配のある温度分布を形成し、るつぼを高温部に位置させて原料を融液にし、るつぼを移動させて原料融液を固化させてゆくこととし、一定の高さに固定した原料の温度を測定する温度センサが、原料の融点にあって、かつ一定の高さにあるようにヒ-タを制御し、るつぼを一定速度で下降することによって半導体結晶を成長させるようにしたことを特徴とする半導体結晶の成長方法。

IPC (3件)：

C30B 11/00 , C30B 29/42 , H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-212291
特開平2-196081
特開平4-295086

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