トレンチゲート半導体装置の製造

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：津軽進 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-542380
公開番号（公開出願番号）：特表2003-515954
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2003年05月07日
要約：

【要約】トレンチゲート半導体装置、例えば、MOSFET又はIGBTの製造において、出発半導体基体(10)が、ソース領域及び基体領域を形成するために設けられた二つのトップレイヤ(13,15)を持つ。ゲート材料(11’)が半導体基体の隣接している面(10a)から突出するステップ(30)を形成するように、依然存在しているトレンチ用のエッチング液に対するマスク(51,図2)を用いてトレンチ(20)内に設けられ、次いで、サイドウォールスペーサ(32)が該ステップ(30)内にマスク(51)と置き換わるように形成される。ソース領域(13)が、スペーサ(32,図5)により決定される横方向の大きさを持って突出トレンチゲート構造とセルフアライメントされ、次いで、ゲート(11)に絶縁オーバレイヤ(18,図6)が設けられる。突出トレンチゲート構造がゲート材料(11’)により設けられる明確に規定されたエッジを持つ場合にサイドウォールスペーサ(32)を形成することは、サイドウォールスペーサのための突出ステップをトレンチゲート構造に持たせる前にゲート絶縁オーバレイヤがトレンチ内に設けられる従来のプロセスと比較して、ソース領域のより明確な規定を可能にする。

請求項（抜粋）：

トレンチゲートに隣接するチャネル収容基体領域により分離されたソース領域及びドレイン領域を持つトレンチゲート半導体装置を製造する方法であって、(a)半導体基体の表面において、該基体のあるエリアにおいて窓を持つマスクを形成する工程、(b)前記基体領域を介して前記ドレイン領域の下に横たわっている部分内に延在するように前記窓において前記半導体基体内にトレンチをエッチングする工程、(c)ゲート材料が、前記半導体基体の、依然存在している前記マスクと隣接する面から突出するステップを形成するように、該ゲート材料を前記トレンチ内に及び前記窓内に設ける工程、(d)前記マスクと置き換わるように前記ステップ内にサイドウォールスペーサを形成する工程、(e)前記トレンチからの、前記スペーサにより決定される横方向の大きさを持つ前記ソース領域を形成する工程、(f)前記ソース領域の形成後、絶縁オーバレイヤを前記ゲートに設ける工程、及び(g)前記ソース領域の露出されている面及び前記基体領域の露出されている面と接触するように並びに前記ゲート絶縁オーバレイヤ上を延在するようにソース電極を設ける工程を含むトレンチゲート半導体装置を製造する方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 653 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 653 C , H01L 29/78 652 B , H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 658 G , H01L 29/78 658 F , H01L 29/78 658 A , H01L 29/78 658 E

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-297038
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-248773 出願人：日産自動車株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-063339 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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