特許
J-GLOBAL ID：200903000673623617
磁石材料とその製造方法、およびそれを用いたボンド磁石
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-236102
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087118
出願日： 1997年09月01日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 TbCu7 型結晶構造を有する相を主相とする母合金に窒化処理を施して磁石材料を製造するにあたり、窒素の迅速な吸収を妨げることなく、窒素の過剰な吸収による磁気特性の劣化を抑制する。【解決手段】 R1 X R2 Y BZ NU HV M100-X-Y-Z-U-V (式中、R1 は希土類元素、R2 はZr、HfおよびScから選ばれる元素、MはFeおよびCoから選ばれる元素、 2at.%≦X 、0.01at.%≦Y 、 4≦ X+Y≦20at.%、 0≦ Z≦10at.%、 0.1≦ U≦18at.%、0.01≦ V≦10at.%)で実質的に表される組成を有し、かつTbCu7 型結晶構造を有する相を主相とする磁石材料である。母合金に対する窒化処理は、アンモニアガス分圧Px と水素ガス分圧Py との比Py /Pxを 5≦Py /Px の範囲に設定したアンモニアガスと水素ガスとを含む混合ガス中で実施する。
請求項（抜粋）：
一般式:R1 X R2 Y BZ NU HV M100-X-Y-Z-U-V(式中、R1 は希土類元素から選ばれる少なくとも 1種の元素を、R2 はZr、HfおよびScから選ばれる少なくとも 1種の元素を、MはFeおよびCoから選ばれる少なくとも 1種の元素を示し、 X、 Y、 Z、 Uおよび Vはそれぞれ2at.%≦X 、0.01at.%≦Y 、 4≦ X+Y≦20at.%、 0≦ Z≦10at.%、 0.1≦ U≦18at.%、0.01≦ V≦10at.%を満足する数である)で実質的に表される組成を有し、かつTbCu7 型結晶構造を有する相を主相とすることを特徴とする磁石材料。
IPC (5件)：
H01F 1/053
, B22F 1/00
, C22C 33/02
, H01F 1/08
, C22C 38/00 303
H01F 1/04 H
, B22F 1/00 G
, C22C 33/02 H
, C22C 38/00 303 D
, H01F 1/08 A
