特許
J-GLOBAL ID：200903000700048310

半導体光導波路アレイの製造方法及びアレイ構造半導体光素子

発明者：
工藤 耕治

工藤 耕治 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 丸山 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116490
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012952
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 1ウエハからの素子収量を大幅に増大でき、且つ均一で高性能な特性を有する超高集積化された半導体光導波路アレイの製造方法を提供する。【解決手段】 本方法は、ストライプ状成長領域に、量子井戸層を有する半導体多層構造、またはバルク層からなる半導体多層構造を選択的に結晶成長させてなる光導波路を複数本アレイ状に備えた半導体光導波路アレイの製造方法である。本方法では、並列に延在する複数本のストライプ状成長領域をそれぞれ誘電体薄膜で挟んで形成し、各成長領域に選択的に半導体多層構造を有機金属気相成長法により結晶成長させる際、各成長領域が、結晶成長時の反応管内での原料種の拡散長よりも短い間隔で並列に形成されており、各成長領域の間に配設された誘電体薄膜の幅はWa であり、2本の最外側の成長領域の各々の外側に配設された第1最外誘電体薄膜の幅Wm1及び第2最外誘電体薄膜の幅Wm2が、それぞれ、Wm1>Wa 及びWm2>Wa である。
請求項（抜粋）：
基板上に誘電体薄膜に挟まれて形成されたストライプ状成長領域に、量子井戸層を有する半導体多層構造、またはバルク層からなる半導体多層構造を選択的に結晶成長させてなる光導波路を複数本アレイ状に備えた半導体光導波路アレイの製造方法において、並列に延在する複数本のストライプ状成長領域をそれぞれ誘電体薄膜で挟んで形成し、各成長領域に選択的に量子井戸層を有する半導体多層構造、またはバルク層からなる半導体多層構造を有機金属気相成長法により結晶成長させる際、前記各成長領域が、結晶成長時の反応管内での原料種の拡散長よりも短い間隔で並列に形成されており、前記各成長領域の間に配設された誘電体薄膜の幅はWa であり、2本の最外側の成長領域の外側にそれぞれ配設された第1最外誘電体薄膜の幅Wm1及び第2最外誘電体薄膜の幅Wm2が、Wm1>Wa 及びWm2>Wa であることを特徴とする半導体光導波路アレイの製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/22 610 ,  G02B 6/122
FI (2件)：
H01S 3/18 669 ,  G02B 6/12 B
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-178402   出願人：株式会社日立製作所
審査官引用 (1件)
  • 半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-178402   出願人：株式会社日立製作所

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