半導体レーザ素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-178402
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036473
出願日： 1995年07月14日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、室温において青紫色波長領域のレ-ザ動作を行う半導体レーザ素子を提供することにある。【構成】絶縁膜マスク4を用いて選択成長を行うことにより、Nitride材料からなる導波路ストライプを(0001)C面サファイア基板の(11-20)A面に平行な方向に形成する。このとき、絶縁膜SiO2マスク4の間隔W1を1〜2μm範囲とし、マスク幅W2を5〜30μm範囲に設けた。次に、絶縁膜でカバ-し、リソグラフィ-により、p及びn電極を蒸着する。この後、劈開スクライブする。【効果】本発明によれば、断面形状を矩形状に制御した低損失の光導波路層を作製でき、さらに実屈折率差によって基本横モ-ドが安定に導波される横モ-ド制御型BH構造が実現できる。本素子は室温において発振し、発振波長410〜430nmの範囲であった。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に形成した光導波路構造を有する半導体レーザ素子において、光導波層及び発光活性層は選択成長技術により設けることとし、選択成長用の絶縁膜マスクパターンにおいてマスク幅や間隔を規定することにより該光導波路構造は矩形状の断面形状からなるストライプ構造を有し、該導波路上面は基板面と平行で平坦な面からなり該導波路側面は基板に対して垂直で平滑面となっており、光導波路構造内部では発光活性層が光導波層に埋め込まれていることにより、活性層横方向に実屈折率差を設けて、基本横モードを安定に導波する埋め込み(BH;Buried Heterostruture)型ストライプ構造を構成していることを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-111487
半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-025544 出願人：富士通株式会社
特開昭61-267388

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