特許
J-GLOBAL ID：200903000715920609
集積回路ウェハにおける電気的相互接続部の形成方法、エッチング方法、及びフォトレジストパターンの転写方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-068756
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172963
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 少なくとも1つの中間厚みを有するフォトレジストマスクのパターンを転写して誘電体層内に複数の中間レベル層を形成する。【解決手段】 誘電体層をハードマスク層とレジストマスクで覆う。レジストマスクパターンからハードマスクパターンを形成する。ハードマスクパターンは少なくとも1つの中間厚みを有する。ハードマスクパターンの開口部を介して、誘電体層の第1の深さに達する相互接続部が形成される。ハードマスクのうち中間厚みを有する領域をエッチングして第2の誘電体表面領域を露出させる。第2の誘電体層表面領域を、第1の深さより浅い第2の深さまでエッチングする。第1の深さまで延びるビアホールを形成し、且つビアホールに交差する接続線を第2の深さに形成する。比較的薄いハードマスクパターンの使用は、ファセッティングによる垂直表面形状部の劣化を減少させる。
請求項（抜粋）：
表面を有する集積回路材料の複数のレベルを含む集積回路ウェハにおいて、該集積回路材料の該表面から複数の中間レベルまでの電気的相互接続部を形成する方法であって、a)該集積回路材料の該表面上に位置するように、所定の厚みを有し且つ表面を有するハードマスク層を形成する工程と、b)該ハードマスクの該表面上に位置するレジストパターンであって、複数の所定の厚みを有し且つ該レジストパターンを貫通して第1の所定のハードマスク表面領域を露出させる開口部を有する、レジストパターンを形成する工程と、c)該ハードマスク層のうち、工程b)で形成された該レジストパターンの該開口部の下方にある部分を除去する工程と、d)該レジストパターンの所定の一部分を除去することにより、第2の所定のハードマスク表面領域を露出させる開口部を形成する工程と、e)該ハードマスク層のうち、工程d)で形成された該開口部の下方にある部分を除去することにより、複数の所定の厚みを有し且つ該ハードマスクを貫通して第1の所定の集積回路表面領域を露出させる開口部を有する、ハードマスクパターンを形成する工程と、f)該集積回路材料のうち、工程e)で形成された該ハードマスクパターンの該開口部の下方にある部分を除去する工程と、g)該ハードマスクパターンの所定の一部分を除去することにより、第2の所定の集積回路表面領域を露出させる開口部を形成する工程と、h)該集積回路材料のうち、工程g)で形成された該開口部の下方にある部分を除去することにより、上層の該レジストパターンの形状を概略再現するように該集積回路材料を除去する工程と、を包含する、形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/027
, H01L 21/304 321
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/302 J
, H01L 21/304 321 S
, H01L 21/30 502 C
, H01L 21/88 M
, H01L 21/90 D
