特許

J-GLOBAL ID：200903000739756419

配線形成方法及び配線構造

発明者： 福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  片山 倫子 ,  山口 城
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-165284
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354638
出願日： 1998年06月12日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 銅を用いた配線に適し、配線間の寄生容量を低減することが可能な配線形成方法及び配線構造を提供する。【解決手段】 下地基板の表面上に、有機系絶縁膜を形成する。有機系絶縁膜の上に、該有機系絶縁膜よりも誘電率の高い無機材料からなるマスク膜を形成する。マスク膜に、配線パターンに対応し、底面に有機系絶縁膜が露出する第1の溝を形成する。マスク膜をマスクとし、第1の溝の底面に露出した領域の有機系絶縁膜をエッチングし、第1の溝に対応した第2の溝を形成する。第1及び第2の溝内に導電性材料を埋め込み、配線を形成する。マスク膜を除去する。

請求項（抜粋）：

下地基板の表面上に、有機系絶縁膜を形成する工程と、前記有機系絶縁膜の上に、該有機系絶縁膜よりも誘電率の高い無機材料からなるマスク膜を形成する工程と、前記マスク膜に、配線パターンに対応し、底面に前記有機系絶縁膜が露出する第1の溝を形成する工程と、前記マスク膜をマスクとし、前記第1の溝の底面に露出した領域の前記有機系絶縁膜をエッチングし、前記第1の溝に対応した第2の溝を形成する工程と、前記第1及び第2の溝内に導電性材料を埋め込み、配線を形成する工程と、前記マスク膜を除去する工程とを有する配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/312

FI (3件)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/312 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 配線構体及びその形成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-047508   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平4-269829
  
• 特開平4-269829