特許
J-GLOBAL ID:200903000775775225
成膜方法、それを用いて製造された構造物及び圧電素子、並びに、液体吐出ヘッドの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
宇都宮 正明
, 渡部 温
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-373607
公開番号(公開出願番号):特開2006-210896
出願日: 2005年12月26日
公開日(公表日): 2006年08月10日
要約:
【課題】AD法を用いることにより、比較的高い温度で成膜することができ、且つ、精度の高いパターンを形成できる成膜方法を提供する。【解決手段】エアロゾルデポジション法を用いて所望のパターンを有する膜を形成する方法であって、対象物上に、アモルファス構造を有する成分を含有する第1の膜を形成する工程(a)と、第2の膜が形成される所望の成膜領域において、第1の膜に含まれているアモルファス構造を有する成分を結晶化する工程(b)と、成膜材料の粉体をノズルから第1の膜に向けて噴射することにより、工程(b)において結晶化された第1の膜の成膜領域上に第2の膜を形成する工程(c)とを含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
エアロゾルデポジション法を用いて所望のパターンを有する膜を形成する方法であって、
対象物上に、アモルファス構造を有する成分を含有する第1の膜を形成する工程(a)と、
第2の膜が形成される所望の成膜領域において、前記第1の膜に含まれているアモルファス構造を有する成分を結晶化する工程(b)と、
成膜材料の粉体をノズルから前記第1の膜に向けて噴射することにより、工程(b)において結晶化された前記第1の膜の成膜領域上に前記第2の膜を形成する工程(c)と、
を具備する成膜方法。
IPC (7件):
H05K 3/10
, H01L 41/24
, H01L 41/18
, H01L 41/09
, B41J 2/16
, B05D 1/02
, B05D 7/24
FI (8件):
H05K3/10 D
, H01L41/22 A
, H01L41/18 101Z
, H01L41/08 C
, H01L41/08 J
, B41J3/04 103H
, B05D1/02 Z
, B05D7/24 301J
Fターム (23件):
2C057AF93
, 2C057AP02
, 2C057AP51
, 2C057AP52
, 2C057AP58
, 4D075AA01
, 4D075AA82
, 4D075AA83
, 4D075BB29Z
, 4D075BB40Z
, 4D075BB48Z
, 4D075BB85Y
, 4D075EA12
, 4D075EB01
, 5E343AA02
, 5E343BB59
, 5E343BB61
, 5E343BB71
, 5E343DD12
, 5E343DD25
, 5E343ER31
, 5E343FF05
, 5E343GG08
引用特許:
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