特許

J-GLOBAL ID：200903000783502823

半導体装置の製造方法

発明者： 上田 靖彦
出願人/特許権者： エルピーダメモリ株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-138805
公開番号（公開出願番号）：特開2006-319058
出願日： 2005年05月11日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：

【課題】 大きなアスペクト比を有するシリンダ孔の開孔に際して、ボーイングの発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体基板11の主面上部にシリンダ孔形成用絶縁膜22を成膜する工程と、シリンダ孔形成用絶縁膜22を貫通し半導体基板11に達する放電プラグ27を形成する工程と、放電プラグ27及びシリンダ孔形成用絶縁膜22上に導電性ハードマスク26を形成する工程と、導電性ハードマスク26を用いてシリンダ孔形成用絶縁膜22をエッチングしてシリンダ孔29を形成しシリンダ孔29内に下部電極30を形成する工程とを備える。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面上部に絶縁膜を成膜する工程と、 前記絶縁膜を貫通し前記半導体基板に達する放電プラグを形成する工程と、 前記放電プラグ及び前記絶縁膜上にマスクパターンを形成する工程と、 前記マスクパターンを用いて前記絶縁膜をエッチングしてシリンダ孔を形成し、該シリンダ孔内に電極を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/321 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L27/10 621C ,  H01L21/88 D ,  H01L21/88 S ,  H01L21/302 105A

Fターム (55件)：

5F004BA04 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004EA03 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033HH04 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK04 ,  5F033KK19 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033NN01 ,  5F033NN06 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX00 ,  5F033XX04 ,  5F033XX08 ,  5F083AD24 ,  5F083AD60 ,  5F083GA27 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083PR03 ,  5F083PR07 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (1件)

• コンタクトホール等の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-097988   出願人：沖電気工業株式会社