コンタクトホール等の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩原康司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-097988
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354499
出願日： 1998年04月09日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】ボーイングやエッチストップなどを生ずることなくコンタクトホール等の開口部を形成できる方法を提供する。特に開口径が0.2μm以下や0.1μm以下などの微細なコンタクトホール等を形成するのに最適な方法を提供する。【解決手段】基板1表面の絶縁膜2上に成膜されたポリシリコン膜3にホール開口部3aを形成し,ホール開口部3aの内側面にポリシリコン5を堆積してホール開口部3aの径を狭めた後,ポリシリコン膜3をマスクとしてドライエッチングを行い,絶縁膜2に対してコンタクトホール等の開口部2aを形成する方法において,エッチングガスにCHF3とCOとの混合ガスを用い,かつ絶縁膜2にnon-dopeの酸化シリコン膜を用いる。

請求項（抜粋）：

基板表面の絶縁膜上に成膜されたポリシリコン膜にホール開口部を形成し,該ホール開口部の内側面にポリシリコンを堆積してホール開口部の径を狭めた後,ポリシリコン膜をマスクとしてドライエッチングを行い,絶縁膜に対してコンタクトホール等の開口部を形成する方法において,エッチングガスにCHF3とCOとの混合ガスを用い,かつ前記絶縁膜にnon-dopeの酸化シリコン膜を用いることを特徴とする,コンタクトホール等の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/302 F , H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

微細接続孔の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-231341 出願人：ソニー株式会社
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-092527 出願人：松下電器産業株式会社
トレンチの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-236217 出願人：ソニー株式会社

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