特許

J-GLOBAL ID：200903000784969377

パワー混成集積回路装置

発明者： 高橋 正昭 ,  山田 一二 ,  宮崎 英樹 ,  加藤 和男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045367
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254759
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】複数のパワー半導体素子と、それらをドライブする回路とのパワー混成集積回路装置において、これらのパワー半導体素子の大電流化に伴うノイズ及び入出力配線部分の配線抵抗の低減を図る。【構成】パワー混成集積回路装置の金属基板上にパワー回路用の入出力配線,グランド層が形成され、ドライバ用ICやチップ抵抗等電子部品が接続された回路基板の所望の位置に複数の窓が開けられ、前記窓内の露出する金属基板表面にはんだを介してセラミックスチップが接続されており、パワー半導体素子は前記セラミックスチップ上に金属橋を介して接続されている。隣接するパワー半導体素子の下部電極同志或いはパワー半導体素子の下部と入出力配線とが連結されるものは、前記金属橋の一部に依ってなされる。【効果】放熱効率(熱抵抗)が向上し、ノイズ低下し、半導体素子の効率が向上して信頼性の高いパワー混成集積回路が得られる。

請求項（抜粋）：

金属基板と、上記金属基板上に接着される有機樹脂からなる絶縁体層であって、複数の窓を有している絶縁体層と、上記複数の窓のそれぞれの領域内で、上記金属基板上に固着される複数のセラミックスチップと、上記複数のセラミックスチップ上に形成された金属箔と、上記複数のセラミックスチップ上に上記金属箔を介して固着された複数のパワー半導体素子と、上記絶縁体層の表面の所望位置に固着された複数の小信号回路素子と、上記絶縁体層の表面の他の所望位置に形成された上記パワー半導体素子用の導電路とを有し、隣接する上記パワー半導体素子の電極同志の電気的接続は上記金属箔によりされることを特徴とするパワー混成集積回路装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-195083
  
• 混成集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-285987   出願人：アジアエレクトロニクス株式会社
• 特開平4-076928
  
• 特開平3-204996