特許

J-GLOBAL ID：200903000807754098

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： 大島 昇 ,  阪田 昌彦 ,  横田 誠
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361037
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164609
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 保護膜形成時に光出射端面に与えるダメージを小さくし且つリーク電流の発生を抑制する。【解決手段】 レーザチップ51の光出射端面51aに保護膜を蒸着する際に、酸素が分解発生しないSi膜52aを先に形成する。こうして、蒸着開始直後から酸素分圧の低い状態で光出射端面51a近傍の成膜を行うと共に、後に保護膜52bを蒸着する際に蒸着材料Al2O3から酸素が分解して酸素分圧が大きくなっても酸素が端面51aと衝突または結び付くことを防止して、保護膜形成時に端面51aに与えるダメージを小さくする。また、Si膜52aの膜厚を約20Åと薄くする。こうして、Si膜52a内(あるいは端面51a)でのリーク電流の発生を抑制し、発振特性に悪影響を及ぼさないようにする。

請求項（抜粋）：

半導体レーザチップにおける光出射端面に所定の反射率を有する酸化膜が保護膜として形成された半導体レーザ素子において、少なくとも一つの光出射端面と上記酸化膜との間に、膜厚が40Å以下のSi膜が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/028 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

H01S 5/028 ,  H01L 21/203 Z

Fターム (12件)：

5F073AA84 ,  5F073CA05 ,  5F073CB20 ,  5F073DA33 ,  5F073DA35 ,  5F073EA15 ,  5F073EA28 ,  5F103AA01 ,  5F103DD16 ,  5F103DD27 ,  5F103HH03 ,  5F103LL03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体ダイオードレーザ及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-511790   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• 化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-344798   出願人：三菱化学株式会社
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-034630   出願人：富士写真フイルム株式会社