特許

J-GLOBAL ID：200903041372718017

半導体レーザ装置

発明者： 山中 英生
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-034630
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230483
出願日： 2000年02月14日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザ装置において、半導体層と反射率制御層の界面の酸化量を明確にして、信頼性を向上させる。【解決手段】 半導体層と反射率制御層の第一層との界面付近の最大酸素濃度を15atm%以下にする。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物からなる層が積層された半導体層からなり、該半導体層の向かい合う2つの光出射端面のうち少なくとも片側に、2層以上からなる反射率制御層を備えた半導体レーザ装置において、前記半導体層と前記反射率制御層の該半導体層に最も近い第一層との界面付近における最大酸素濃度が15atm%以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/028 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/028 ,  H01L 33/00 C

Fターム (20件)：

5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA39 ,  5F041CB03 ,  5F041CB15 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA73 ,  5F073AA83 ,  5F073CA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073CA13 ,  5F073CA14 ,  5F073CA22 ,  5F073CB20 ,  5F073DA32 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-101183
  
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-322759   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平3-101183
  
• 特開昭59-149080