特許
J-GLOBAL ID：200903000813071520

半導体装置の製造方法およびこれに用いる製造装置

発明者：
執行 和浩

執行 和浩 について

, 
川津 善平

川津 善平 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-273027
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083796
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：
【要約】【課題】 pn接合のn層側でウエットエッチングの停止を容易に制御できる半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】 n型GaAs(100)基板本体21上にp型Ga0.5Al0.5As膜22(膜厚200nm)、n型Ga0.35Al0.65As膜23(膜厚600nm)を積層した半導体基板を、エッチング液に浸漬し、波長500〜620nmの成分を含有する光を、50μW/cm2〜100mW/cm2の光強度で照射する。
請求項（抜粋）：
基板本体上にp層とn層とをこの順に設けたpn接合を有する半導体基板の上記n層に、このn層のバンドギャップエネルギより大きなエネルギを有する光を照射しながら、上記n層をウエットエッチングする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01S 5/223
FI (3件)：
H01S 5/223 ,  H01L 21/306 B ,  H01L 21/306 J
Fターム (13件)：
5F043AA14 ,  5F043AA15 ,  5F043BB07 ,  5F043DD08 ,  5F043EE04 ,  5F043EE10 ,  5F043EE35 ,  5F043EE36 ,  5F043GG10 ,  5F073AA13 ,  5F073CA05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (3件)

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