特許
J-GLOBAL ID:200903000815510653

積層型セラミック回路基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-271534
公開番号(公開出願番号):特開平7-131157
出願日: 1993年10月29日
公開日(公表日): 1995年05月19日
要約:
【要約】【目的】 その目的は、絶縁膜の形成が簡単で、安定した貫通凹部が形成できる積層型セラミック回路基板の製造方法を提供する。【構成】 本発明は、(1)基体15表面に、ガラス・セラミックのスリップ材を塗布・乾燥しして絶縁膜10a〜10eを形成し、(2)前記絶縁膜10a〜10eのビアーホル導体3となる位置に、レーザー光線を照射して、絶縁膜10a〜10eを貫通する貫通凹部30を形成し、(3)前記貫通凹部30内に導電性ペーストを充填してビアホール導体3となる導体31を及び前記絶縁膜10b〜10eの表面に導電性ペーストを印刷して内部配線2となる導体膜20を形成し、前記各(1)〜(3)の工程を順次繰り返した後、絶縁膜10a〜10e、内部配線2となる導体膜20及びビアホール導体3となる導体31を一体的に焼成処理する工程を含む積層型セラミック回路基板の製造方法である。
請求項(抜粋):
セラミック層となる絶縁膜と、内部配線となる導体膜とを重畳積層するとともに、前記絶縁膜を挟んで隣接しあう導体膜が該絶縁膜の厚みを貫くビアホール導体となる導体を介して接続する積層体を形成し、前記積層体を焼成処理する積層型セラミック回路基板の製造方法であって、前記ビアホール導体を有する絶縁膜と該絶縁膜上に重畳する導体膜を以下の工程によって形成することを特徴とする積層型セラミック回路基板の製造方法。(1)ガラス・セラミックのスリップ材を塗布・乾燥して絶縁膜を形成する工程、(2)前記絶縁膜に、レーザー光線を照射して、絶縁膜を貫通する貫通孔を形成する工程、(3)前記絶縁膜の表面及び貫通孔内に導電性ペーストを印刷・充填して内部配線となる導体膜とビアホール導体となる導体を形成する工程。
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 多層配線基板の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-202844   出願人:松下電器産業株式会社
  • 特開平3-208395
  • 特開平3-208395

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