特許
J-GLOBAL ID：200903000817164310
多層配線を有する半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-126795
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058651
出願日： 1998年11月05日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 微細化多層配線に対応して、隣接配線間の容量を低減し、層間接続用金属とその上下層の配線とを確実に接続し、かつショート不良を防止する。【解決手段】 半導体基板201の上に、絶縁膜202、第1の金属層203、第1の層間絶縁膜204を順次形成した後、第1の層間絶縁膜204に開口部を形成し、開口部へ層間接続用金属208を形成する。フォトリソグラフィーとドライエッチングとによって第1の層間絶縁膜204と第1の金属層203と絶縁膜202の一部とを選択的に除去して、第1の配線を形成した後、プラズマCVD装置を使用して第2の層間絶縁膜212を形成する。第2の層間絶縁膜212を平坦化した後、その表面を部分的にエッチングする。その後、第3の層間絶縁膜214を堆積する。第3の層間絶縁膜214の表面が層間接続用金属208の上面および第1の層間絶縁膜204の表面と同一平面になるように、CMP法によって第3の層間絶縁膜214を平坦化する。層間接続用金属208に接続するように第2の配線216を形成する。
請求項（抜粋）：
同一絶縁膜上に形成された複数の配線から構成される下層配線層であって、前記複数の配線が第1配線と、前記第1配線から第1の間隙をおいて隣接する第2配線と、前記第1配線から前記第1の間隙より広い第2の間隙をおいて隣接する第3配線とを含む下層配線層と、前記第1配線、前記第2配線および前記第3配線の上に形成された第1の層間絶縁膜と、を備えた構造を形成する工程と、前記第1の間隙の上方を実質的に塞ぎ、前記第1の間隙内に空孔を形成するように、第2の層間絶縁膜の下部を構成する第1層間絶縁層を堆積する工程と、前記第2の層間絶縁膜の上部を構成する、前記第1層間絶縁層よりもカバレッジの良い第2層間絶縁層を堆積することによって前記第2の間隙を埋め込み、かつ前記空孔を完全に覆う工程と、を包含する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
H01L 21/90 A
, H01L 21/316 M
, H01L 21/90 N
