特許

J-GLOBAL ID：200903000817952637

SOI基板及びその製造方法

発明者： 石神 俊一郎 ,  降屋 久
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-052258
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250688
出願日： 1995年03月13日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウェーハを2枚貼り合わせて作られる絶縁層上のSOI層の酸素析出物の密度が小さく、スリップに起因したデバイスの電気的特性に悪影響を及ぼさない。【構成】 第1シリコンウェーハ11と第2シリコンウェーハ12とを絶縁層13を介して接合する。接合した両ウェーハを室温状態から30〜50°C/秒の昇温速度で1000〜1200°Cまで急速加熱して10〜600秒保持する特徴ある前熱処理を行う。更に両ウェーハを1100°Cで1〜3時間熱処理して貼り合わせた後、シリコンウェーハ11又は12を所定の厚さに研削研磨してデバイス形成用のSOI層12aを有するSOI基板を得る。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハ(11)上に絶縁層(13)が形成され、前記絶縁層(13)上にデバイス形成用のSOI層(12a)が形成されたSOI基板において、前記絶縁層(13)との界面からの深さが50μm以下の領域のSOI層(12a)の酸素析出物密度が1×106/cm3〜1×109/cm3であることを特徴とするSOI基板。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/322

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/322 Y

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-068105   出願人：株式会社日本自動車部品総合研究所
• 特開平1-259539
  
• 特開平2-237121
  
• SOI基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-062973   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱電機株式会社