特許
J-GLOBAL ID:200903000819053125

多層回路基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-045149
公開番号(公開出願番号):特開平8-241935
出願日: 1995年03月06日
公開日(公表日): 1996年09月17日
要約:
【要約】【目的】 ダイパッド配置位置直下にも配線できる多層回路基板を提供すること。【構成】 多層回路基板1は、LSIベアチップ(半導体素子)20を搭載するためのダイパッド21を設けたもので、電源/グランドプレーン3b、信号ライン4b、電源/グランドプレーン5b、信号ライン6b、6dからなる複数の導体層と、第1誘電体層3a、第2誘電体層4a、第3誘電体層5a、第4誘電体層6aからなる複数の誘電体層とを有し、かつこの導体層と誘電体層とを交互に積層してなるとともに、最外部に配置された信号ライン6d上に、ダイパッド21用の所定の大きさの部分誘電体層7を設けるようにしたものである。
請求項(抜粋):
半導体素子を搭載するためのダイパッドを設けた多層回路基板であり、複数の導体層と複数の誘電体層とを有しかつ前記導体層と前記誘電体層とを交互に積層してなる多層回路基板であって、最外部に配置された導体層上には、前記ダイパッド用の所定の大きさの部分誘電体層が設けられていることを特徴とする多層回路基板。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H05K 3/46
FI (4件):
H01L 23/12 N ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 C ,  H01L 23/12 E
引用特許:
審査官引用 (2件)

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