特許
J-GLOBAL ID：200903000822708337

半導体装置のキャリア基板の電極構造

発明者：
水崎 学

水崎 学 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-140174
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326294
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体パッケージの電極と親基板の電極との接合部の強度と信頼性とを向上させる、半導体装置のキャリア基板の電極構造を提供する。【解決手段】 キャリア基板102の電極であるはんだ付けランド103が内部に同心の半球面の中空部を有する半球状となり円周部分にフランジ部分が設けられており、フランジ部分の外径が従来例の円柱の外径に相当する。また、フランジ部とフランジ部に連接する壁面の一部に2個所空気抜きのためにスリット104が設けられている。一方、キャリア基板102には外面に向けて半球面状の凹部が設けられており、はんだ付けランド103がその凹部に嵌合しフランジ部分がキャリア基板の外面に当接するようにはんだ付けランド103がキャリヤ基板102に固着されている。
請求項（抜粋）：
半導体装置を親基板にはんだ接続するための該半導体装置のキャリア基板の電極構造であって、該電極は、中央領域に凹部が形成され、中央領域の該凹部を取り囲む周囲の壁面に該凹部と該壁面の外部とを連通する貫通部を有することを特徴とする半導体装置のキャリア基板の電極構造。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ,  H05K 3/34 501
FI (2件)：
H05K 3/34 501 E ,  H01L 23/12 L
Fターム (9件)：
5E319AA03 ,  5E319AA07 ,  5E319AB05 ,  5E319AC12 ,  5E319AC20 ,  5E319BB04 ,  5E319CC36 ,  5E319CD29 ,  5E319GG03
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM