窒化ガリウム系化合物半導体の電極

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-099585
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270757
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【目的】 p-n接合型の窒化ガリウム系化合物半導体を利用した発光素子の発光出力、発光効率を向上させるための窒化ガリウム系化合物半導体のn型層、およびp型層とオーミック接触が得られる電極を提供する。【構成】基板上に成長されたノンドープGaN層の上に、電子キャリア濃度1×1017/cm3以上のn型窒化ガリウム系化合物半導体が成長され、そのn型窒化ガリウム系化合物半導体に、オーミック接触する電極が形成されている。p電極はノンドープGaN層の上に、正孔キャリア濃度1×1015/cm3以上のp型窒化ガリウム系化合物半導体が成長され、そのp型窒化ガリウム系化合物半導体に、オーミック接触する電極が形成されている。

請求項（抜粋）：

基板上に成長されたノンドープGaN層の上に、電子キャリア濃度1×1017/cm3以上のn型窒化ガリウム系化合物半導体が成長され、そのn型窒化ガリウム系化合物半導体に、オーミック接触する電極が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の電極。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E , H01L 21/28 301 H

引用特許：

審査官引用 (12件)

窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-085492 出願人：日亜化学工業株式会社
特開平3-203388
特開平4-242985

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