特許

J-GLOBAL ID：200903000832683871

磁気センサ

発明者： 小山 恵史 ,  八木 富一 ,  長田 誠一
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-045817
公開番号（公開出願番号）：特開2008-209224
出願日： 2007年02月26日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】ハーフブリッジに備えられる一対の磁気抵抗素子間の抵抗値のばらつきを抑制した磁気センサを提供する。【解決手段】磁気センサ10において、共通の基板14上に配置された一対の第1磁気抵抗素子16、第2磁気抵抗素子18が、その第1磁気抵抗素子16の薄膜ヨーク30、32の感磁方向すなわち中心線C1の方向と第2磁気抵抗素子18の薄膜ヨーク30、32の感磁方向すなわち中心線C2の方向とが相互に平行な方向となるように配置されていることから、一対の磁気抵抗素子16、18は基板14上において一面に同時に成膜されたGMR膜のうち同じ方向のGMR膜が一対の磁気抵抗素子16、18のGMR膜34としてそれぞれ用いられるので、一対の第1磁気抵抗素子16の抵抗値R1および第2磁気抵抗素子18の抵抗値R2の間のばらつきがそれぞれ好適に抑制される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

所定パターンの磁気抵抗薄膜をそれぞれ有する一対の磁気抵抗素子が直列に接続されたハーフブリッジを共通の基板上に備え、該一対の磁気抵抗素子の間の中点から出力される信号に基づいて外部磁界を検出する磁気センサであって、 前記所定パターンの一対の磁気抵抗薄膜の感磁方向が、前記基板の一面上に成膜された磁性薄膜内において同じ方向であることを特徴とする磁気センサ。

IPC (1件)：

G01R 33/09

FI (1件)：

G01R33/06 R

Fターム (5件)：

2G017AB07 ,  2G017AB08 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  2G017BA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-155090   出願人：株式会社東海理化電機製作所

審査官引用 (2件)

• 薄膜磁界センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-367822   出願人：財団法人電気磁気材料研究所
• 特開昭55-059314