薄膜磁界センサ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-367822
公開番号（公開出願番号）：特開2002-131407
出願日： 2000年10月26日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：

【要約】【課題】構造が簡単で、高い磁界検出感度を有し、しかも温度変化等による誤差が無く、印加された磁界強度の絶対値が検出可能な磁界センサを提供すること。【解決手段】本発明では、巨大磁気抵抗薄膜の両側に導体膜6を配置し、電気端子8および9を設けた素子10を導入し、また、素子5と素子10を2つのアームとするブリッジ回路を形成する。素子10の電気抵抗値の磁界に対する感度は小さな磁界では実質的に零でありながら、磁界印加以外の要因による電気抵抗値変化は素子5と等しい。ブリッジの出力電圧は、素子5と素子10の電気抵抗値の差に比例するため、ブリッジの出力電圧からは巨大磁気抵抗薄膜の温度変化等、磁界印加に原因する以外の変化要因は相殺され、従って、正確な印加磁界の値を得ることができる。

請求項（抜粋）：

所定の空隙長を持つ空隙によって2分割され、所定の膜厚および空隙に接する所定の幅を持つ軟磁性薄膜1、その空隙を埋めるように形成された巨大磁気抵抗薄膜2、2分割された軟磁性薄膜1の各々に電気的に接続された端子3および端子4、前記空隙長と実質的に等しい空隙長を持つ空隙によって2分割され、前記膜厚と実質的に等しい膜厚、および前記空隙に接する幅と実質的に等しい幅を持つ導体膜6、その空隙を埋めるように形成された巨大磁気抵抗薄膜7、および2分割された導体膜6の各々に電気的に接続された端子8および端子9からなり、端子3および端子4と端子8および端子9は、各々ブリッジ回路の2つのアームを形成することを特徴とする薄膜磁界センサ。

IPC (3件)：

G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01L 43/08

FI (3件)：

G11B 5/39 , H01L 43/08 Z , G01R 33/06 R

Fターム (9件)：

2G017AA02 , 2G017AB05 , 2G017AD55 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034BB02 , 5D034BB14 , 5D034CA03

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