特許
J-GLOBAL ID：200903000841214698
半導体磁器材料
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-278482
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092505
出願日： 1995年09月21日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 大電流遮断回路用の電流制限素子等に好適に用いられる小さな比抵抗を有する半導体磁器材料を提供するものである。【解決手段】 主成分としてTiO2を含有するTiO2系半導体磁器組成物において、Bi金属をTiO2に対して0.1モル%以上150モル%以下含有させる半導体磁器材料。
請求項（抜粋）：
主成分としてTiO2を含有するTiO2系半導体磁器材料において、Bi金属をTiO2に対して0.1モル%以上150モル%以下含有させることを特徴とする半導体磁器材料。
引用特許：
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