特許

J-GLOBAL ID：200903000841554200

半導体集積回路の配線方法

発明者： 堀川 真裕美
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 村山 光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-032204
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214329
出願日： 2006年02月09日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：

【課題】一度配置した大規模セルを極力動かさず、その周辺の配線混雑を特定し、電源配線形状の変更により大規模セル周辺に配線領域を割り当て配線性を改善する。【解決手段】大規模セルを配置した電源配線後に、半導体チップ全面の概略配線経路を求める概略配線工程と、取得した概略配線経路を基に詳細配線経路を求める詳細配線工程を有し、概略配線工程で取得した混雑度および詳細配線工程で取得した配線短絡箇所の有無や不適切な配線などの配線違反数を大規模セル周辺の必要領域内で評価し、評価結果を基に電源配線を形状変更して、大規模セル周辺に配線領域を割り当て、配線性を改善する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

大規模セルを含む半導体集積回路の配線方法であって、 半導体チップ上の前記大規模セルの配置位置を決定し、前記大規模セルの電源配線をした後、前記半導体チップ全面の概略配線経路を求める概略配線工程と、取得した前記概略配線経路を基に詳細配線経路を求める詳細配線工程とを有し、前記概略配線工程または前記詳細配線工程で取得した混雑度から、前記大規模セルの電源配線の形状を変更することを特徴とする半導体集積回路の配線方法。

IPC (2件)：

H01L 21/82 ,  G06F 17/50

FI (3件)：

H01L21/82 L ,  G06F17/50 658K ,  H01L21/82 B

Fターム (13件)：

5B046AA08 ,  5B046BA05 ,  5B046BA06 ,  5F064AA06 ,  5F064DD02 ,  5F064EE03 ,  5F064EE15 ,  5F064EE16 ,  5F064EE52 ,  5F064EE58 ,  5F064HH06 ,  5F064HH09 ,  5F064HH11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 配置・配線方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-316295   出願人：川崎製鉄株式会社