特許

J-GLOBAL ID：200903000855460390

低温焼成セラミック回路基板

発明者： 柴田 耕次 ,  稲生 典栄
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 加古 宗男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-065359
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264959
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 ワイヤボンディングの信頼性を向上する。【構成】 CaO-SiO2 -Al2 O3 -B2 O3 系ガラス粉末60重量%とアルミナ粉末40重量%とを含むグリーンシート12にビアホール13を形成し、このビアホール13に、ビアホール導体14を充填した後、Ag系導体の内層導体15や表層導体16を印刷する。このグリーンシート12を複数枚積層して熱圧着した後、酸化雰囲気(空気)中で低温焼成して低温焼成セラミック基板11を作製する。この低温焼成セラミック基板11のAg系の表層導体16上にAu系導体ペーストを使用してワイヤボンディング用のパッド17を印刷し、これを酸化雰囲気(空気)中で低温焼成する。この後、Ag系の表層導体16上に半導体チップ18をダイボンディングし、半導体チップ18上面の電極とAu系導体のパッド17とをボンディングワイヤ19で接続する。

請求項（抜粋）：

1000°C以下で焼成されたAg導体を内層及びビアホール導体とした低温焼成セラミック基板の表面に、Ag系の表層導体が同時焼成され、このAg系の表層導体上にAu系導体でワイヤボンディング用のパッドが形成されていることを特徴とする低温焼成セラミック回路基板。

IPC (4件)：

H05K 3/46 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/24

FI (6件)：

H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 T ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 1/09 A ,  H05K 3/24 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 多層回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-232118   出願人：京セラ株式会社
• 導体ペーストおよびそれを用いたセラミック多層配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-139278   出願人：日本セメント株式会社
• 特開平2-128496