特許
J-GLOBAL ID：200903000867442320

連続したハイドライド気相エピタキシャル法

発明者：
ソロモン、グレン エス.

ソロモン、グレン エス. について

, 
ミラー、デイビッド ジェイ.

ミラー、デイビッド ジェイ. について

, 
上田 哲三

上田 哲三 について


出願人/特許権者：
シービーエル テクノロジーズ インコーポレイテッド

シービーエル テクノロジーズ インコーポレイテッド について

, 
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-617239
公開番号（公開出願番号）：特表2003-517416
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2003年05月27日
要約：
【要約】成長温度において基盤上に複数のエピタキシャル層を連続して形成する工程(41)を含む、人工基盤(40)上にIII -V 族化合物の比較的厚いエピタキシャル膜を形成する方法。エピタキシャル成長を再開する(45,46)前に、基盤および連続的に成長した各エピタキシャル層を成長温度より低い温度まで冷却する(42)ことで、サンプル内の応力は定期的に緩和される。連続的エピタキシャル成長は、システムエッチング(44)と組み合わされて、より粉砕しにくくかつ表面形態が改良されたエピタキシャル層を提供する。HClをソースガスおよびエッチングとして使用する連続的ハイドライド気相エピタキシャル法では、連続的デポジションとシステムエッチングプロセスを統合し単一プロセス(47、48)とすることができる。
請求項（抜粋）：
エピタキシャル膜を提供するために人工基盤上へIII -V 族化合物を連続的にエピタキシャル成長させる方法であって、 a)HVPE反応炉の中に基盤を配置するステップと、 b)III -V 族/基盤サンプルを提供するために成長温度においてHVPEで基盤上にエピタキシャル層を形成するステップと、 c)III -V 族/基盤サンプルを反応炉から取り出すステップと、 d)エッチングガスをHVPE反応炉に通過させるステップと、 e)HVPE反応炉の中にIII -V 族/基盤サンプルを配置するステップと、 f)III -V 族/基盤サンプル上に成長温度においてHVPEでエピタキシャル層を形成するステップと、 g)エピタキシャル膜が目的の厚さになるまで連続して前記ステップc)からf)を反復するステップと、 h)室温までエピタキシャル膜を冷却するステップであって、室温に冷却する際に多層エピタキシャル膜が完全なままであるステップと、からなる方法。
IPC (5件)：
C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (6件)：
C30B 29/38 D ,  C30B 29/38 C ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/02 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (50件)：
4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077EA10 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA02 ,  4G077TA07 ,  4G077TB04 ,  4G077TC14 ,  4G077TC15 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045CA06 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM