特許
J-GLOBAL ID：200903022390623991
3-5族化合物半導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-154411
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112030
出願日： 1998年06月03日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】高品質の3-5族化合物半導体を、ドーパントのメモリ効果を低減して繰り返し製造する方法を提供する。【解決手段】〔1〕一般式InxGayAlzNで表される、有機金属気相成長法による3-5族化合物半導体の製造方法において、p型ドーパントをドープしない層からなる半導体層を成長させる反応炉と、p型ドーパントをドープする反応炉とを互いに異なるものとする3-5族化合物半導体の製造方法。〔2〕一般式InxGayAlzNで表される、有機金属気相成長法による3-5族化合物半導体の製造方法において、例えばp型ドーパントをドープしない層からなる1層または2層以上を含む半導体を、一つの反応炉で成長させ、これを反応炉の外に取り出す工程を複数回繰り返す3-5族化合物半導体の製造方法。
請求項（抜粋）：
p型ドーパントをドープしない層からなる半導体層と、p型ドーパントをドープする層を含む半導体層とを有する一般式InxGayAlzN(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される、有機金属気相成長法による3-5族化合物半導体の製造方法において、p型ドーパントをドープしない層からなる半導体層を成長させる反応炉と、p型ドーパントをドープする反応炉とを互いに異なるものとすることを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, C30B 29/40 502
, H01L 21/205
H01L 33/00 C
, C30B 29/40 502 H
, H01L 21/205
