特許
J-GLOBAL ID：200903000889405843
薄膜トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-223964
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070277
出願日： 1996年08月26日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】 新たなプロセス負荷を増やすことなく、電気的にフローティングな状態にある遮光膜の電位がドレイン電極との容量結合により変動してトランジスタの閾値電圧より高くなることを防止し、オフ特性の低下を防ぎ、かつ、トランジスタのオン時には遮光膜の電位が閾値より高くなることでオン特性も良好に保つ。【解決手段】 透明絶縁基板上に形成されたゲート配線、ドレイン配線及びその交差部に形成された少なくともチャネル領域を遮光する遮光膜を有する薄膜トランジスタにおいて、前記遮光膜を遮光膜とゲート電極及びゲート配線間との結合容量が、遮光膜とドレイン電極間の結合容量の少なくとも3倍となるよう遮光膜をゲート配線側に広げ、遮光膜とゲート配線が重なった領域の面積が、遮光膜とドレイン電極が重なった領域の面積の3倍以上となるようパターン形成する。
請求項（抜粋）：
透明絶縁基板上に形成された、ゲート配線、ドレイン配線及びその交差部に形成された、少なくともチャネル領域を遮光する遮光膜を有する薄膜トランジスタにおいて、前記遮光膜を、遮光膜とゲート電極及びゲート配線間との結合容量が、遮光膜とドレイン電極間の結合容量の少なくとも3倍となるよう形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 619 B
, G02F 1/136 500
