特許
J-GLOBAL ID：200903000900760014
フッ化金属単結晶体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-173438
公開番号（公開出願番号）：特開2006-347792
出願日： 2005年06月14日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】 その有する歪み等を除去するために、高温状態からゆっくりと冷却した場合でも微細ボイドの発生が少なく、よって、光リソグラフィー用などの光学材料としての物性に優れたフッ化金属単結晶を効率的に得る。【解決手段】 原料フッ化金属の溶融液面に種結晶を接触させ引き上げることによりフッ化金属の単結晶体を成長させるフッ化金属単結晶体の製造方法を、該成長を、成長炉内の圧力が0.5〜70kPa、好ましくは5〜50kPaの圧力となる減圧下、より好ましくは10〜30kPaの圧力となる減圧下に行う。結晶成長中は、成長炉を外部と遮断して気密化することにより該圧力を維持するとよい。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
原料フッ化金属の溶融液面に種結晶を接触させ引き上げることによりフッ化金属の単結晶体を成長させるフッ化金属単結晶体の製造方法において、該成長を、成長炉内の圧力が0.5〜70kPaとなる減圧下に行うことを特徴とする前記フッ化金属単結晶体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
4G077AA02
, 4G077BE02
, 4G077CF10
, 4G077EA04
, 4G077ED01
, 4G077EG01
, 4G077EH08
, 4G077EH09
, 4G077GA02
, 4G077GA06
, 4G077HA01
, 4G077PD02
, 4G077PD08
, 4G077PJ01
