特許

J-GLOBAL ID：200903000903076815

誘電体薄膜素子の製造方法

発明者： 荒井 尚子 ,  喜多 隆介 ,  増田 義行 ,  松 良幸 ,  大谷 昇 ,  木場 正義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-186025
公開番号（公開出願番号）：特開平9-031645
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1997年02月04日
要約：

【要約】【課題】 十分に酸素を取り込んだ酸化物誘電体薄膜を形成する。高誘電率、高絶縁性、高絶縁破壊耐圧等の優れた誘電特性を備えた誘電体薄膜素子の製造方法を提供する。【解決手段】 成膜室を350°Cまで昇温し、ターゲット表面を10分間予備スパッタする。その後、さらに10分間ターゲット表面をスパッタし、酸化物誘電体薄膜を成膜する。酸化物誘電体薄膜を成膜した後、成膜した試料を成膜室から取り出さずに、真空排気を止め、成膜室中に200Paの酸素分圧を導入し、350°Cで5分間保持し、その後基板を冷却する。

請求項（抜粋）：

少なくとも電極と酸化物誘電体薄膜とを有する誘電体薄膜素子の製造方法において、成膜室内で所定の膜厚まで上記酸化物誘電体薄膜の形成を行った時点で、酸化物誘電体薄膜を成膜室から取り出さずに成膜室に成膜時よりも高い酸素分圧まで酸素を導入し、一定時間保持した後、基板を冷却することを特徴とする誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (6件)：

C23C 14/34 ,  C01B 13/14 ,  C04B 35/46 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/54 ,  H01L 21/283

FI (7件)：

C23C 14/34 S ,  C01B 13/14 Z ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/54 B ,  C23C 14/54 D ,  H01L 21/283 S ,  C04B 35/46 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• SrTiO3 薄膜の形成方法及び形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-020048   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平1-164703