特許

J-GLOBAL ID：200903000913233919

多層配線基板及び半導体素子収納用パッケージ

発明者： 四方 邦英 ,  永江 謙一 ,  坂口 逸朗 ,  木下 将和
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-039788
公開番号（公開出願番号）：特開平8-228078
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】高誘電体層中の成分の絶縁層への拡散を防止し、安定した特性のコンデンサ部を具備する多層配線基板と半導体収納用パッケージを得る。【構成】高誘電体層3を一対の電極層4、5により挟持したコンデンサ部6を具備する多層配線基板および半導体素子収納用パッケーシにおいて、高誘電体層3をAl2 O3 粒子と、ZrO2 粒子と、これらの粒界に存在するアルカリ土類金属,希土類元素,AlおよびSiの少なくとも1種の酸化物とZrの酸化物を含むガラス相とから構成し、絶縁層2を、アルミナ粒子および/またはZrO2 と、アルカリ土類金属,希土類元素,AlおよびSiの少なくとも1種の元素の酸化物とZrの酸化物を含むガラス相とから構成する。

請求項（抜粋）：

Al2 O3 粒子および/またはZrO2 粒子と、アルカリ土類金属,希土類元素,AlおよびSiのうち少なくとも1種の元素の酸化物とZrの酸化物を含むガラス相とからなる絶縁層間および/または表面にメタライズ配線層が配設された絶縁基板の内部または表面に、Al2 O3 粒子と、ZrO2 粒子と、これらの粒界に存在しアルカリ土類金属,希土類元素,AlおよびSiのうち少なくとも1種の元素の酸化物とZrの酸化物を含むガラス相とから高誘電体層を一対の電極層により挟持してなるコンデンサ部を積層したことを特徴とする多層配線基板。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H05K 9/00

FI (5件)：

H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 9/00 R ,  H01L 23/12 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• セラミック基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-013165   出願人：株式会社村田製作所
• コンデンサー内蔵基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-203122   出願人：日本特殊陶業株式会社