二波長単一構造集積縦型キャビティ表面放射レーザおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大貫進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067805
公開番号（公開出願番号）：特開平11-046039
出願日： 1998年03月02日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】二波長単一構造集積 VCSELを含む低コスト半導体チップであって、CD、DVDの両方から情報を読出し/書込みを可能にし、逆方向互換性の要求を満たす。【解決手段】二波長単一構造集積VCSELおよび基板表面に格子整合する第1ミラースタックを含む長波長光および短波長光を放射するための製造方法である。各VCSELはAlAs/AlGaAs材料システムのミラー対を含み、能動領域は第1ミラースタックの表面と格子整合し、第2ミラースタックは能動領域の表面と格子整合し、短波長光、長波長光のどちらかの放射を可能にし、設計パラメータに依存する。電気的コンタクトは、単一構造集積短波長VCSELおよび単一構造集積長波長VCSELの能動領域に結合する。二波長単一構造集積VCSELは、CDおよびDVDの両方の読出し/書込み適用を可能にする半導体レーザチップとして製造される。

請求項（抜粋）：

半導体レーザチップであって:基板要素(12)上に製造される第1縦型キャビティ表面放射レーザ(10)であって、短波長放射(63)を発生させる、ところのレーザ(10);および前記基板要素(12)上に製造され、前記第1縦型キャビティ表面放射レーザ(10)に一体化された、第2縦型キャビティ表面放射レーザ(34)であって、当該第2縦型キャビティ表面放射レーザ(34)は、前記第1縦型キャビティ表面放射レーザ(10)の波長よりも長い波長の放射(64)を発生させる、ところのレーザ(34);から構成されることを特徴とする半導体レーザチップ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

サーフェススキミングレーザを作るためのモノリシック半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-248898 出願人：ゼロックスコーポレイション
面発光集積素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-357876 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-228791

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引用文献：

審査官引用 (2件)

Uniform CW Operation of Multiple-Wavelength Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Fabricated by Ma
Uniform CW Operation of Multiple-Wavelength Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Fabricated by Ma

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