特許
J-GLOBAL ID：200903000927332227
微細レジストパターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鐘尾 宏紀 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-275933
公開番号（公開出願番号）：特開2000-105466
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【目的】本発明は、高残膜性を維持した上で高感度化が可能で、高解像力で良好なパターンを形成することができ、寸法精度のプロセス依存性も小さい、ポジ型フォトレジスト組成物を用いての微細レジストパターン形成方法を提供することである。【構成】アルカリ可溶性ノボラック樹脂100重量部に対し、キノンジアジド基を含む感光剤を3〜15重量部含有するポジ型フォトレジスト組成物を、従来使用されているものよりも低濃度の有機あるいは無機アルカリ水溶液からなる現像剤により現像する。現像剤中に用いられる有機アルカリ材料としては、水酸化第四級アンモニウムが、また無機アルカリ材料としては水酸化アルカリ金属が好ましく、それらの濃度は、水酸化第四級アンモニウムの場合は、2.2重量%以下、また水酸化アルカリ金属の場合は0.4重量%以下である。
請求項（抜粋）：
アルカリ可溶性ノボラック樹脂100重量部に対し、キノンジアジド基を含む感光剤を3〜15重量部含有するポジ型フォトレジスト組成物を、2.2重量%以下の下記一般式(1)で表される水酸化第四級アンモニウム水溶液を現像剤として用いて現像することを特徴とする微細レジストパターン形成方法。[(R1 )3 N-R2 ]+ OH- (1)(式中、R1 は炭素数1〜3のアルキル基を、また、R2 は炭素数1〜3のアルキル基または炭素数1〜3のヒドロキシ置換アルキル基を表す。)
IPC (3件)：
G03F 7/32
, G03F 7/022
, H01L 21/027
G03F 7/32
, G03F 7/022
, H01L 21/30 502 R
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC01
, 2H025AD03
, 2H025BE01
, 2H025CB29
, 2H025CB45
, 2H025FA17
, 2H096AA25
, 2H096BA09
, 2H096EA02
, 2H096GA09
