特許

J-GLOBAL ID：200903000934006971

ポリマー性錯体形成剤を使用する銅CMPのための方法

発明者： シュローダー,デイビッド ジェイ. ,  カーター,フィリップ ,  チャンバーレイン,ジェフリー ピー. ,  ミラー,カイル ,  チェリアン,アイザック ケー.
出願人/特許権者： キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-551828
公開番号（公開出願番号）：特表2005-513765
出願日： 2002年12月03日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

本発明は、銅を含む金属層を含む基材を研磨する方法を提供する。この方法は、(i)液体キャリアー、研磨パッド、研磨材、及び負に帯電したポリマー又はコポリマーを含む化学機械的研磨系を用意する工程、(ii)基材をこの研磨系と接触させる工程、及び(iii)基材の少なくとも一部を摩滅させて基材の金属層を研磨する工程、を含む。負に帯電したポリマー又はコポリマーは、スルホン酸、スルホネート、スルフェート、ホスホン酸、ホスホネート、及びホスフェートから選択される1つ以上のモノマーを含み、20,000g/mol以上の分子量を有し、そして研磨材が負に帯電したポリマー又はコポリマーと研磨材との相互作用により低下するゼータ電位の値を有するように、研磨材の少なくとも一部を被覆する。

請求項（抜粋）：

銅を含む金属層を含む基材を研磨する方法であって、 (i)次の(a)〜(d)、すなわち、 (a)液体キャリアー、 (b)研磨パッド、 (c)研磨材、及び (d)負に帯電したポリマー又はコポリマーであって、(I)スルホン酸、スルホネート、スルフェート、ホスホン酸、ホスホネート、及びホスフェートよりなる群から選択される1つ以上のモノマーを含み、(ii)20,000g/mol以上の分子量を有し、且つ(iii)上記研磨材が当該負に帯電したポリマー又はコポリマーと上記研磨材との相互作用により低下するゼータ電位の値を有するように、上記研磨材の少なくとも一部を被覆する、負に帯電したポリマー又はコポリマー、 を含む化学機械的研磨系を用意する工程、 (ii)銅を含む金属層を含む基材をこの化学機械的研磨系と接触させる工程、及び、 (iii)当該基材の少なくとも一部を摩滅させて当該基材の金属層を研磨する工程、を含む基材研磨方法。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

FI (4件)：

H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-074562   出願人：株式会社東芝, ジェイエスアール株式会社