特許

J-GLOBAL ID：200903000944321832

半導体装置の製造方法

発明者： 原 一巳
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-276064
公開番号（公開出願番号）：特開2009-105247
出願日： 2007年10月24日
公開日（公表日）： 2009年05月14日
要約：

【課題】貫通電極の導通確認をウェハ単位で簡便に行なうことができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】シリコンウェハ250の能動面10aに形成された複数の集積回路を個片化して複数の半導体装置1を製造する方法であって、複数の集積回路を個片化する前に、集積回路のそれぞれに形成された能動面電極120a,120b,外部接続用電極122,及びダミー電極を覆って導電膜190を形成する工程と、能動面10aと反対の裏面10bからシリコンウェハ250を貫通して能動面電極120a,120bに達する貫通電極112a,112bを形成する工程と、裏面10bから一対の貫通電極112a,112bをプロービングして貫通電極112a,112bと能動面電極120a,120bとの導通を検査する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法とした。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

シリコンウェハの能動面に形成された複数の集積回路を個片化して複数の半導体装置を製造する方法であって、 前記複数の集積回路を個片化する前に、 前記集積回路のそれぞれに形成された複数の能動面電極を覆って導電膜を形成する工程と、 前記能動面と反対の裏面から前記シリコンウェハを貫通して前記能動面電極に達する貫通電極を形成する工程と、 前記裏面から一対の前記貫通電極をプロービングして前記貫通電極と前記能動面電極との導通を検査する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (2件)：

H01L21/66 B ,  H01L21/88 J

Fターム (55件)：

4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA16 ,  4M106DJ38 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH23 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK23 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12 ,  5F033XX37

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 検査装置、検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-342214   出願人：セイコーエプソン株式会社