化合物半導体発光装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田数彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-098381
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284285
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】発光点位置の安定化と装置の寿命および特性が改良された化合物半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】(1)基板上に、少なくとも、化合物半導体層、初期導電層およびメッキ導電層を順次に設けて成る化合物半導体発光装置において、メッキ導電層の厚みの3σが平均値の30%以下である化合物半導体発光装置、および、(2)基板上に、少なくとも、化合物半導体層および初期導電層を順次に形成した後、基板の周囲から電流を流しながらメッキすることによりメッキ導電層を形成する化合物半導体発光装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも、化合物半導体層、初期導電層およびメッキ導電層を順次に設けて成る化合物半導体発光装置において、メッキ導電層の厚みの3σが平均値の30%以下であることを特徴とする化合物半導体発光装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , C25D 7/12 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 , C25D 7/12 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (1件)

ウエーハメツキ用治具
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-191829 出願人：松下電子工業株式会社

前のページに戻る