特許
J-GLOBAL ID：200903000963141217
アモルファス窒化炭素組成物及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-041580
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238684
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】【課題】電子材料として利用できるアモルファス窒化炭素組成物およびその製造方法を提供する。【解決手段】アモルファス窒化炭素組成物は、σ結合の結合準位に基づく広がった状態の価電子帯状態1と反結合準位に基づく広がった状態の伝導帯状態2とが(移動度端Ev と移動度端Ec とが)移動度ギャップEmgを隔てて存在する。π結合に基づく局在状態4の状態密度を小さくしてある。高周波マグネトロンスパッタリング装置を用いて反応性スパッタリングによりアモルファス窒化炭素組成物を基板上に堆積させ、堆積されたアモルファス窒化炭素組成物の表面に、水素ガスによる水素プラズマ処理を施すことにより上述のエネルギバンド構造を有するアモルファス窒化炭素組成物を形成している。
請求項（抜粋）：
アモルファス窒化炭素組成物であってエネルギバンド構造においてπ結合に基づく局在状態密度が小さくσ結合による広がった状態密度の方が支配的である炭素原子及び窒素原子で構成された領域が存在して成ることを特徴とするアモルファス窒化炭素組成物。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, C01B 21/082
, C23C 14/35
, H01L 31/0248
H01L 21/203 S
, C01B 21/082 K
, C23C 14/35
, H01L 31/08 K
