特許
J-GLOBAL ID：200903000970424380

半導体装置の製造方法

発明者：
片岡 豊隆

片岡 豊隆 について

, 
齋藤 正樹

齋藤 正樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-144516
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343961
出願日： 2001年05月15日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 ボロン原子のシリコン半導体基板への拡散を阻止して、PMOS半導体素子の閾値電圧の変動を抑制する。【解決手段】 半導体基板10の表面に酸化膜11を形成する工程と、窒素元素を含み、水素元素が5%以下しか含まれない窒素ガスを供給するとともに、電磁波を照射することによって酸化膜11を窒化する工程と、シリコン元素を含み、水素元素が5%以下しか含まれないシリコン材料ガス、及び窒素元素を含み、水素元素が5%以下しか含まれない窒素ガスを供給するとともに、電磁波を照射することによって酸化膜11上にシリコン窒化膜12を形成する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体層の表面に酸化膜を形成する工程と、窒素元素を含み、水素元素が5%以下しか含まれない窒素ガスを供給するとともに、電磁波を照射することによって前記酸化膜を窒化する工程と、シリコン元素を含み、水素元素が5%以下しか含まれないシリコン材料ガス、及び窒素元素を含み、水素元素が5%以下しか含まれない窒素ガスを供給するとともに、電磁波を照射することによって前記酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
FI (6件)：
C23C 16/42 ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/318 M ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 321 D
Fターム (61件)：
4K030AA03 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01 ,  4K030HA04 ,  4K030JA06 ,  4K030LA15 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA02 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BD09 ,  5F058BA05 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BH05 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA06 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BE02 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG38 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140CB01 ,  5F140CB02 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC12 ,  5F140CE10 ,  5F140CF07
引用特許：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM