特許
J-GLOBAL ID：200903054585223415

絶縁膜の形成方法及びp形半導体素子の製造方法

発明者：
片岡 豊隆

片岡 豊隆 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-144707
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332009
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】安定したプラズマ窒化法を実現することができ、しかも、得られた絶縁膜の特性を低下させないプラズマ窒化法に基づく絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】絶縁膜の形成方法は、(イ)半導体層の表面に酸化膜を形成する工程と、(ロ)窒素系ガスが窒素系ガス分圧比として90%以上含まれる雰囲気ガスにマイクロ波を照射することによって生成した励起状態の窒素分子、窒素分子イオン、窒素原子若しくは窒素原子イオンにより該酸化膜の表面を窒化する工程から成る。
請求項（抜粋）：
(イ)半導体層の表面に酸化膜を形成する工程と、(ロ)窒素ガスがガス分圧比として90%以上含まれる雰囲気ガスにマイクロ波を照射することによって生成した励起状態の窒素分子、窒素分子イオン、窒素原子若しくは窒素原子イオンにより該酸化膜の表面を窒化する工程、から成ることを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L 21/316 S ,  H01L 21/318 C ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (49件)：
5F040DA19 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040ED00 ,  5F040ED01 ,  5F040ED05 ,  5F040ED06 ,  5F040EF02 ,  5F040EK01 ,  5F040FB02 ,  5F040FC00 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA14 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BG12 ,  5F048DA00 ,  5F048DA25 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BD01 ,  5F058BD03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD15 ,  5F058BE03 ,  5F058BF51 ,  5F058BF52 ,  5F058BF55 ,  5F058BF61 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BF65 ,  5F058BF68 ,  5F058BF72 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BH01 ,  5F058BH02 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (2件)

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