半導体チップ及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：堀口浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-072114
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231371
出願日： 2008年03月19日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：

【課題】小型化が可能な半導体チップ及び半導体装置を提供する。【解決手段】上面、底面、及びこれらの面を接続する側面13を有する半導体基板11と、上面にあり、半導体基板11に形成された半導体素子と接続された上部配線15と、底面にあり、側面13で囲まれた内側に側面13から離間して配置された複数の接続端子26と、半導体基板11を貫通する貫通孔21を通り、上部配線15と接続端子26とを電気接続する貫通配線25と、接続端子26間の底面にあり、接続端子26とは凹部31を隔てて配置された絶縁性の分離膜27とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

上面、前記上面に対向する底面、及び前記上面と前記底面とを接続する側面を有する半導体基板と、前記上面にあり、前記半導体基板に形成された半導体素子と接続された上部配線と、前記底面にあり、前記側面から離間して配置された複数の接続端子と、前記半導体基板を貫通する貫通孔を通り、前記上部配線と前記接続端子とを電気接続する貫通配線と、前記底面にあり、前記接続端子と離間配置されて、前記接続端子との間に凹部を形成する絶縁性の分離膜と、を備えていることを特徴とする半導体チップ。

IPC (5件)：

H01L 23/12 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (3件)：

H01L23/12 L , H01L21/88 J , H01L23/30 R

Fターム (32件)：

4M109AA01 , 4M109BA01 , 4M109DB17 , 5F033GG02 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH13 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033MM30 , 5F033NN05 , 5F033NN30 , 5F033PP14 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR13 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR24 , 5F033VV07 , 5F033XX22

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-327967 出願人：三洋電機株式会社

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