特許
J-GLOBAL ID：200903000984060810
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-162261
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353402
出願日： 2001年05月30日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】 高密度化,高信頼性を実現してウェハーレベルで半導体装置を形成するには、種々の規制があり、パッケージ構造の改革が必要であった。【解決手段】 ウェハーレベルで製造されるチップ積層型の高密度半導体装置であり、第1の半導体チップ13と、その表面にフリップチップ実装された第2の半導体チップ15と、第1の半導体チップ13上に設けられたポール状の突起電極16と、外囲を封止した樹脂17と、第2の半導体チップ15の裏面に配線18が延在し、レジスト樹脂19から開口した配線18上にボール電極20が設けられたエリアアレータイプの半導体装置である。この構造により、第2の半導体チップ15の裏面は研削により薄厚加工されているとともに、突起電極16の表面も研削され、第2の半導体チップ15の裏面と突起電極16の表面とが略同一面に構成されているため、信頼性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
表面に少なくとも第1の電極パッドと第2の電極パッドが形成された第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップの表面にフリップチップで前記第2の電極パッドと接続して搭載された第2の半導体チップと、前記第1の半導体チップの前記第1の電極パッド上に設けられた突起電極と、前記第1の半導体チップの表面を覆い、少なくとも前記第1の半導体チップと第2の半導体チップとの間隙を封止した樹脂とよりなる半導体装置であって、前記第2の半導体チップの裏面は研削により薄厚加工されているとともに、前記突起電極の表面も研削され、前記第2の半導体チップの裏面の面と前記突起電極の表面の面とが略同一面に構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 25/065
, H01L 21/60 311
, H01L 23/12 501
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 21/60 311 Q
, H01L 23/12 501 P
, H01L 25/08 B
