窒化珪素焼結体、放熱絶縁用セラミックス基板、放熱絶縁用回路基板、及び放熱絶縁用モジュール

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福村直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-242809
公開番号（公開出願番号）：特開2008-063187
出願日： 2006年09月07日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：

【課題】焼成雰囲気調整なく高い焼結性、高い緻密性及び大きな熱伝導性を有する窒化珪素焼結体、並びにそれを用いた放熱性の大きな放熱絶縁用セラミックス基板、放熱絶縁用セラミックス回路基板及び放熱絶縁用モジュールの提供。【解決手段】Si3N4と、軽希土類元素と、重希土類元素及び/又はYと、Srとを含有する窒化珪素焼結体であり、Si3N4の含有割合が85〜90モル%、前記軽希土類元素の含有割合が酸化物換算で1〜5モル%、前記重希土類元素及び/又はYの含有割合が酸化物換算で1〜5モル%、Srの含有割合が酸化物換算で3〜13モル%であり、ラマン分光分析における波数521±2cm-1の珪素ピーク強度(S1)と206±2cm-1付近の窒化珪素のピーク強度(S2)との比S1/S2が0.1未満であることを特徴とする窒化珪素焼結体、放熱絶縁用セラミックス基板、放熱絶縁用セラミックス回路基板、放熱絶縁用モジュール。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Si3N4と、IUPAC1990年勧告による周期律表におけるランタノイドのうちLa、Ce、Pr、Nd、Pm、及びSmより成る群から選択される少なくとも1種の軽希土類元素と、IUPAC1990年勧告による周期律表におけるランタノイドのうちEu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、及びLuより成る群から選択される少なくとも1種の重希土類元素及び/又はYと、Srとを含有する窒化珪素焼結体であって、 Si3N4と、前記軽希土類元素の酸化物と、前記重希土類元素及び/又はYの酸化物と、Srの酸化物との合計が100モル%となるように、Si3N4の含有割合が85〜90モル%の範囲内にあり、前記軽希土類元素の含有割合が酸化物換算で1〜5モル%の範囲内にあり、前記重希土類元素及び/又はYの含有割合が酸化物換算で1〜5モル%の範囲内にあり、Srの含有割合が酸化物換算で3〜13モル%の範囲内にあり、ラマン分光分析における波数521±2cm-1の珪素ピーク強度をS1、206±2cm-1の窒化珪素のピーク強度をS2とした場合に、S1/S2で表されるピーク強度比が0.1未満であることを特徴とする窒化珪素焼結体。

IPC (3件)：

C04B 35/584 , C04B 35/58 , H01L 23/13

FI (4件)：

C04B35/58 102D , C04B35/58 , C04B35/58 102Y , H01L23/12 C

Fターム (27件)：

4G001BA03 , 4G001BA05 , 4G001BA08 , 4G001BA09 , 4G001BA10 , 4G001BA11 , 4G001BA32 , 4G001BB03 , 4G001BB05 , 4G001BB08 , 4G001BB09 , 4G001BB10 , 4G001BB11 , 4G001BB32 , 4G001BC01 , 4G001BC11 , 4G001BC13 , 4G001BC23 , 4G001BC52 , 4G001BC62 , 4G001BD03 , 4G001BD13 , 4G001BD16 , 4G001BD23 , 4G001BE01 , 4G001BE26 , 4G001BE33

引用特許：

出願人引用 (1件)

窒化珪素焼結体及びそれを用いてなる回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-287589 出願人：日本特殊陶業株式会社

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