特許

J-GLOBAL ID：200903001077969510

絶縁膜の形成方法

発明者： 岩元 勇人 ,  佐々木 直人
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-145261
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316228
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 熱処理やアミン系有機溶剤などの薬液による処理を行った後においても高い耐吸湿性が保持される絶縁膜を形成する。【構成】 Si-H結合を含む無機系の塗布型絶縁膜、例えば無機SOG膜4を半導体基板1上に塗布形成した後、その表面に、圧力が40Pa以下の雰囲気中でO2 イオンを主反応種としたアッシング処理を施す。

請求項（抜粋）：

Si-H結合を含む無機系の塗布型絶縁膜を基板上に形成した後、上記塗布型絶縁膜の表面に、圧力が40Pa以下の雰囲気中でO2 イオンを主反応種とした処理を施すようにしたことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 Q ,  H01L 21/90 R ,  H01L 21/90 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-196537
  
• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-183611   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-107021   出願人：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス