特許

J-GLOBAL ID：200903001080522128

半導体装置及び基板の製造方法

発明者： 飯島 真紀 ,  貫和 大 ,  上野 清治 ,  森岡 宗知
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-075505
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185653
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】本発明は基板上に半導体素子が搭載された構成を有する半導体装置に関し、配線層及びビアの高密度化,高信頼性化,及び低コスト化を図ることを課題とする。【解決手段】有機絶縁基板層15A 〜15C とフィルム状接着剤層16A 〜16C が交互に積層されると共に層内に形成された配線層17A 〜17C をビア18A 〜18C を用いて層間接続する構成とされた多層フレキシブル基板12A と、これに搭載される半導体素子11とを有する半導体装置において、ビア18A 〜18C を有機絶縁基板層15A 〜15C 及びフィルム状接着剤層16A 〜16C を貫通して形成されたビア孔23と、このビア孔23内に配設された金属ビア材26とにより構成し、更にビア孔23内における金属ビア材26が同一材質である構成とする。

請求項（抜粋）：

有機絶縁基板層と接着剤層が交互に積層されると共に、ビアを用いて層内に形成された配線を層間接続する構成とされた基板と、該基板に搭載される半導体素子とを有する半導体装置において、前記ビアは、前記有機絶縁基板層及び前記接着剤層を貫通して形成されたビア孔と、該ビア孔内に配設された金属ビア材とにより構成され、かつ、前記ビア孔内における前記金属ビア材は、同一材質であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/28 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/46

FI (6件)：

H01L 23/28 C ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 X ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 N

Fターム (22件)：

4M109AA01 ,  4M109BA05 ,  4M109CA04 ,  4M109DB07 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA16 ,  5E346AA22 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346CC08 ,  5E346CC31 ,  5E346DD24 ,  5E346EE42 ,  5E346FF14 ,  5E346FF35 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG22 ,  5E346HH07 ,  5E346HH25 ,  5E346HH26

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 回路基板および多層回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-232269   出願人：新光電気工業株式会社
• 多層回路基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-002195   出願人：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社
• 半導体パッケージ製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-076171   出願人：株式会社日立製作所, アキタ電子株式会社
• 多層電子部品搭載用基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-290700   出願人：イビデン株式会社