特許
J-GLOBAL ID：200903001092450327
紫外発光体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-246600
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077420
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 室温で紫外発光可能でバンドギャップを広く調節できる紫外発光体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 紫外発光体1はサファイア(α-Al2 O3 )基板2の(001)面上に形成された酸化亜鉛に基づく半導体混晶4を有しており、この半導体混晶4に室温でCW発振He-Cdレーザー又は電子ビームを全面に照射して紫外光を発生させる。半導体混晶4は室温でのバンドギャップが3.3eVのZnOよりも大きいZnOに基づくZnx Cy Oz である。このような半導体混晶4は300°C以下の低温成長温度の調節によってZnx Cy Oz の組成x、y及びzを調節し、バンドギャップを広くすることが可能である。
請求項（抜粋）：
酸化亜鉛に基づく半導体混晶のZnx Cy Oz を備え、この半導体混晶のバンドギャップに対応した紫外光を発光する紫外発光体。
IPC (5件)：
H01L 33/00
, H01S 3/09
, H01S 5/327
, H01S 5/50
, H01L 21/365
H01L 33/00 D
, H01S 5/327
, H01S 5/50
, H01L 21/365
, H01S 3/09
5F041AA11
, 5F041CA46
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA67
, 5F045AA04
, 5F045AA11
, 5F045AB22
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AC11
, 5F045AD04
, 5F045AD05
, 5F045AD06
, 5F045AD07
, 5F045AF09
, 5F045CA09
, 5F045DP03
, 5F045EE12
, 5F045EK19
, 5F072AB13
, 5F072AK03
, 5F072JJ20
, 5F072KK02
, 5F072PP03
, 5F072RR05
, 5F073CA24
, 5F073CB05
, 5F073CB13
, 5F073DA05
, 5F073DA21
, 5F073DA35
, 5F073EA05
