特許
J-GLOBAL ID:200903001105132273

磁気インピーダンスセンサの感磁アモルファス体支持構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大川 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-315938
公開番号(公開出願番号):特開2001-133529
出願日: 1999年11月05日
公開日(公表日): 2001年05月18日
要約:
【要約】【課題】感磁アモルファス体の温度や内部応力に起因する出力変動の低減を実現した磁気インピーダンスセンサ用感磁アモルファス体支持構造を提供すること。【解決手段】感磁アモルファス体3の両端部は台座1の一対の端部支持部に個別に固定され、蓋2により囲包されている。感磁アモルファス体3の両端部間の中間部は、台座1及び蓋2に非接触に架線される架線部となっており、台座1又は蓋2から感磁アモルファス体3の中間部への不要な機械的又は熱的干渉を防止する。
請求項(抜粋):
アモルファス金属からなるワイヤ形状又は薄板形状の感磁アモルファス体の両端部が前記感磁アモルファス体に通電するための配線に接続されて、外部磁界による通電中の前記感磁アモルファス体の外周部の磁気特性変化を検出する磁気インピーダンスセンサ用感磁アモルファス体支持構造において、前記感磁アモルファス体の前記両端部が固定される一対の端部支持部を有して前記感磁アモルファス体を支持する台座を備え、前記感磁アモルファス体の前記両端部間の中間部は、前記台座に対して直接に又は剛体を介して接触することなく配設された架線部を有することを特徴とする磁気インピーダンスセンサ用感磁アモルファス体支持構造。
IPC (2件):
G01R 33/02 ,  H01L 43/00
FI (2件):
G01R 33/02 D ,  H01L 43/00
Fターム (6件):
2G017AC04 ,  2G017AC05 ,  2G017AC06 ,  2G017AD51 ,  2G017AD62 ,  2G017AD65
引用特許:
審査官引用 (6件)
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