特許

J-GLOBAL ID：200903001107220676

連結孔プラグの構造およびその製造方法

発明者： 王 沛然 ,  薛 永瑞 ,  駱 永村 ,  孟 憲▲梁▼
出願人/特許権者： 台湾茂▲石▼電子股▲分▼有限公司
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-204961
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074831
出願日： 1996年08月02日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 セミコンダクタ素子の製造において、アルミニウムの拡散を防ぎ、製造コストを低下させ、量産しやすい金属バリア層を持つ連結孔プラグの製造方法を提供する。【解決手段】 まずは、シリコンベース1の上に、誘電体層2を沈積する。 そして、マスクで露出、現像、食刻することにより、誘電体層2を加工して連結孔(VIA)21を形成する。それから、約100Åの厚さの金属バリア層TiN3を形成する。そして、CVDで形成されるタングステン31及びその底におけるTiN3を金属の拡散のバリアとする仕組みである。また、アルミニウム4で連結孔プラグを充填する。そうすると、製造コストを低降し、かつアルミニウム4の拡散を有効的に防ぐ連結孔プラグの構造になる。

請求項（抜粋）：

セミコンダクタ素子の製造における連結孔プラグ製造方法において、始めにシリコンベースに誘電体層を沈積し次に、マスクで露出、現像、食刻してから連結孔を形成し、その次に、TiNをスパッタリングして沈積し、さらにタングステンを沈積し、高温の中にアルミニウムを沈積することを特徴とする連結孔プラグ製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/28 301 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-017389   出願人：日本電気株式会社